江苏第三代半导体研究院申请半导体外延片及其制备方法专利，提高第二氮化物层的生长质量
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2025-05-20 21:07:40
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种半导体外延片及其制备方法”的专利，公开号 CN120018659A，申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体外延片及其制备方法，半导体外延片包括：基底、第一掩膜结构层、第一氮化物层、第二掩膜结构层和第二氮化物层。第一掩膜结构层设置在基底上并暴露出基底的部分表面；第一氮化物层设置在基底暴露的表面上，第一氮化物层的顶面高于第一掩膜结构层的顶面；第二掩膜结构层设置在第一氮化物层上；第二氮化物层覆盖第二掩膜结构层，第二掩膜结构层为第二氮化物层掩盖位错，且第二氮化物层覆盖第一掩膜结构层的至少部分顶面和第一氮化物层的外表面。通过设置第一掩膜结构层和第二掩膜结构层，提高了第二氮化物层的生长质量。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息340条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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