上海积塔半导体申请半导体结构及其制造方法专利，有效提升半导体功率器件的耐压性能
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2025-05-21 11:35:19
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120018556A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括基底、栅极沟槽、击穿保护层、栅极结构和漏极结构。所述基底包括外延层和位于所述外延层一侧的阱区；栅极沟槽位于所述基底具有所述阱区的一侧；所述栅极沟槽至少贯穿所述阱区并沿垂直于所述基底的方向延伸至所述外延层内；击穿保护层位于所述栅极沟槽的底部；栅极结构位于所述击穿保护层背离所述基底的一侧，并嵌设于所述栅极沟槽内；漏极结构位于所述基底在垂直所述基底方向上背离所述栅极结构的一侧。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1818次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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