荣芯半导体申请一种半导体器件及其制造方法、电子装置专利，避免在形成偏移侧墙的过程中对半导体衬底造成损伤
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2025-05-21 19:10:59
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置”的专利，公开号CN120018604A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括光电转换区和晶体管区，所述晶体管区的所述半导体衬底上形成有栅电极；在所述半导体衬底和所述栅电极的表面形成介质层；在位于所述光电转换区以及所述栅电极的侧壁上的所述介质层表面形成图案化的硬掩膜层；基于所述硬掩膜层对所述介质层进行刻蚀，以去除所述晶体管区中形成在所述栅电极顶部以及所述半导体衬底表面上的介质层，得到由形成在所述栅电极侧壁上的所述介质层所构成的偏移侧墙，以及由形成在所述光电转换区的所述介质层所构成的保护层。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息33条。
来源：金融界
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