金融界2025年5月23日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“二极管器件及其形成方法”的专利,公开号CN120035207A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,一种二极管器件及其形成方法,其中二极管器件包括:衬底;位于所述衬底内的阱区;位于阱区上的栅极结构;分别位于所述栅极结构两侧阱区内的第一掺杂区和第二掺杂区,所述第一掺杂区的掺杂类型与所述阱区相反,所述第二掺杂区的掺杂类型与所述阱区相同,且所述第二掺杂区的掺杂浓度高于所述阱区的掺杂浓度;位于所述第二掺杂区和栅极结构之间阱区内的过渡掺杂区,所述过渡掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区相同,且所述过渡掺杂区的掺杂浓度低于所述第一掺杂区的掺杂浓度。使得二极管器件能够被快速触发,进而降低二极管器件的开启电压以及开启时间,实现二极管器件的快速钳位,提升所述二极管器件的性能。
天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,成立于2002年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目51次,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可226个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目127次,财产线索方面有商标信息149条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可443个。
来源:金融界