长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，提供一种半导体结构及其制造方法、存储系统
创始人
2025-05-23 13:08:59
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN120035123A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。制造半导体结构的方法包括：形成穿过初始半导体柱且沿第三方向延伸、沿第一方向排列的多个牺牲结构，其中第一方向、第二方向和第三方向两两相交，多个牺牲结构将初始半导体柱分割成多个沿第二方向延伸的半导体柱；沿第二方向去除部分牺牲结构，形成牺牲间隙；将剩余的牺牲结构置换为半导体掺杂层；以及在牺牲间隙形成栅极结构，其中栅极结构与半导体掺杂层沿第二方向相邻分布。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1384次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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