贵州芯际探索申请SiC MOS器件稳定性检测方法专利，可根据实际状况调整整体角度保证接触精准
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2025-05-23 14:09:09
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，贵州芯际探索科技有限公司申请一项名为“一种SiC MOS器件的稳定性检测方法”的专利，公开号CN120028666A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOS器件的稳定性检测方法，涉及电器件检测设备技术领域，包括以下步骤：S1、将SiC MOS器件放置在指定检测位置，同时控制在不同的温度和电压条件下，测试MOSFET的漏极电流（Id）与漏源电压（Vds）和栅极电压（Vgs）之间的关系；该SiC MOS器件的稳定性检测方法，在活动块进行移动时，同步带动设置在其端部的转轴进行移动，同时在摆动块跟随活动块进行移动时，沿着斜块的外表面进行移动，进而驱使转轴进行转动，并带动卡接块进行转动，使得在后续检测时，可根据实际状况调整整体角度，保证接触的精准。
天眼查资料显示，贵州芯际探索科技有限公司，成立于2022年，位于贵阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本557.964285万人民币。通过天眼查大数据分析，贵州芯际探索科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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