贵州芯际探索申请SiC MOS器件稳定性检测方法专利,可根据实际状况调整整体角度保证接触精准
创始人
2025-05-23 14:09:09
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金融界2025年5月23日消息,国家知识产权局信息显示,贵州芯际探索科技有限公司申请一项名为“一种SiC MOS器件的稳定性检测方法”的专利,公开号CN120028666A,申请日期为2025年02月。

专利摘要显示,本发明公开了一种SiC MOS器件的稳定性检测方法,涉及电器件检测设备技术领域,包括以下步骤:S1、将SiC MOS器件放置在指定检测位置,同时控制在不同的温度和电压条件下,测试MOSFET的漏极电流(Id)与漏源电压(Vds)和栅极电压(Vgs)之间的关系;该SiC MOS器件的稳定性检测方法,在活动块进行移动时,同步带动设置在其端部的转轴进行移动,同时在摆动块跟随活动块进行移动时,沿着斜块的外表面进行移动,进而驱使转轴进行转动,并带动卡接块进行转动,使得在后续检测时,可根据实际状况调整整体角度,保证接触的精准。

天眼查资料显示,贵州芯际探索科技有限公司,成立于2022年,位于贵阳市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本557.964285万人民币。通过天眼查大数据分析,贵州芯际探索科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目8次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息9条,此外企业还拥有行政许可4个。

来源:金融界

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