觉芯电子申请硅基电容器件专利，电极支柱单元嵌合形成均匀刻蚀通道
创始人
2025-12-26 17:10:00
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国家知识产权局信息显示，觉芯电子（无锡）有限公司申请一项名为“半导体衬底结构、硅基电容器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN121218609A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体衬底结构、硅基电容器件及其制备方法、电子设备，该半导体衬底结构包括：衬底，所述衬底上设有低阻区域；图形化电极，形成于所述衬底的低阻区域，包括周期性排列的多个电极支柱单元，所述电极支柱单元的横截面为多边形，相邻两条侧边中，其中一条侧边上形成有凹陷部，另一条侧边上形成有凸起部，所述凹陷部的凹陷深度与所述凸起部的凸起高度相等，每相邻的两个所述电极支柱单元之间通过所述凹陷部和所述凸起部嵌合，相邻的两个所述电极支柱单元的外周缘之间形成刻蚀通道，所述凹陷部的宽度为所述凸起部的宽度与所述刻蚀通道的宽度的两倍之和，所述电极支柱单元外围的所述刻蚀通道相互连通，且宽度均匀。
天眼查资料显示，觉芯电子（无锡）有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，觉芯电子（无锡）有限公司财产线索方面有商标信息8条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可10个。
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来源：市场资讯
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