国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器元件”的专利,公开号CN121215620A,申请日期为2024年7月。
专利摘要显示,本发明提供一种三维存储器元件,包括介电基底、堆叠结构以及保护层。堆叠结构设置在介电基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个介电层与多个导体层。保护层连续覆盖在多个导体层中的最上导体层的顶表面、第一侧壁及底表面上。保护层的材料包括氮化硅。
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