北方集成电路申请堆叠电容及其制备方法专利，提升半导体器件集成度与性能
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2025-12-27 14:08:35
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121218611A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。所述制备方法包括提供基层介电层；形成电容主体；电容主体包括堆叠的导电层及位于相邻两层导电层之间的间隔介电层；堆叠电容具有第一连接区、导电层叠区及第二连接区；奇数层导电层位于第一连接区及导电层叠区，偶数层导电层位于第二连接区和导电层叠区；形成顶层介电层；形成第一、二连接孔；第一连接孔贯穿各奇数层导电层及各间隔介电层的第一孔部及自各间隔介电层在第一孔部的内壁内凹的第二孔部；第二连接孔贯穿各偶数层导电层及各间隔介电层的第三部及自各间隔介电层在第二孔部的内部内凹的第四孔部；形成第一、二导电结构，第一导电结构填充于第一连接孔，第二导电结构填充于第二连接孔。
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来源：市场资讯
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