南亚科技申请存储器装置与其制作方法专利，可降低操作具有导电类型的第二晶体管的阈值电压
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2025-12-29 12:37:41
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置与其制作方法”的专利，公开号CN121215604A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，一种存储器装置与其制作方法包含形成高介电常数介电层于第一以及第二基板区域上。直接在第一基板区域上方形成第一牺牲层。在第一以及第二基板区域上形成金属层。在金属层上形成第二牺牲层。移除直接在第一基板区域上方的金属层与第二牺牲层。执行退火工艺于金属层上，以在直接在第二基板区域上方的高介电常数介电层中形成偶极区域。移除金属层与第二牺牲层。接着直接在第一基板区域上方形成第一高介电常数金属栅极结构以及直接在第二基板区域上方形成第二高介电常数金属栅极结构。通过驱动金属层中的金属元素进入高介电常数介电层中在第二晶体管的高介电常数金属栅极中形成偶极区域，可借此降低操作具有导电类型的第二晶体管的阈值电压。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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