国巨电子取得耐高压厚膜电阻专利，有效提高了电阻的耐高压性能
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2025-12-29 14:37:04
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国家知识产权局信息显示，国巨电子（中国）有限公司取得一项名为“一种耐高压厚膜电阻”的专利，授权公告号CN223728549U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种耐高压厚膜电阻，其特征在于：包括设置在电阻体上的两个修阻槽，两个所述修阻槽设置于所述电阻体的同一侧；所述修阻槽为L型结构，两个所述修阻槽相对设置，所述修阻槽包括相互连通的第一槽及第二槽，所述第一槽的一端与所述电阻体的宽度方向的侧边连通，所述第一槽的另一端设置于所述电阻体内部；所述第二槽的一端与设置于所述电阻体内部的第一槽的端部相连，所述第二槽的另一端朝向另外一个所述修阻槽的方向延伸设置，且所述第二槽沿着所述电阻体的长度方向延伸设置。本实用新型有效提高了电阻的耐高压性能。
天眼查资料显示，国巨电子（中国）有限公司，成立于1996年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30197.7万美元。通过天眼查大数据分析，国巨电子（中国）有限公司参与招投标项目43次，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可32个。
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来源：市场资讯
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