国家知识产权局信息显示,索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN121241687A,申请日期为2024年5月。
专利摘要显示,根据本公开的一个实施方式的半导体装置包括:第一半导体层,具有彼此相对的第一表面和第二表面,并且具有通过处理第一表面获得并且在第一方向上延伸的突起;第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管在第一半导体层的第一表面上在第一方向上并排布置,第一晶体管和第二晶体管中的每一个均具有栅电极,栅电极被设置成在与突起交叉的第二方向上延伸并且沿着突起的侧壁在第一半导体层的厚度方向上部分地延伸;以及导体,设置在第一晶体管的栅电极和第二晶体管的栅电极之间,栅电极嵌入在第一半导体层中。
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