芯合电子申请MIM电容制造方法及MIM电容专利，可以实现高集成密度
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2026-01-06 21:09:23
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国家知识产权局信息显示，芯合电子（上海）有限公司申请一项名为“一种MIM电容制造方法及MIM电容”的专利，公开号CN121284979A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种MIM电容的制造方法及MIM电容，采用ONO MIM电容结构，并将ONO MIM电容进行并联可以获得两倍容值，本申请既可以实现高集成密度，又可以保留ONO MIM高可靠性，低漏电，高击穿电压的优势。
天眼查资料显示，芯合电子（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1610.5263万人民币。通过天眼查大数据分析，芯合电子（上海）有限公司共对外投资了10家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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