国家知识产权局信息显示,新存科技(武汉)有限责任公司申请一项名为“电源完整性修复方法、装置及存储介质”的专利,公开号CN121328455A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本申请公开了一种电源完整性修复方法、装置及存储介质,属于半导体技术领域,所述电源完整性修复方法包括获取版图电源分配网络数据,执行电压降分析和电迁移分析,生成电压降分布数据和电迁移热点数据;识别相邻金属层中符合最小打孔规则且与电压降差值及电迁移值相关联的相交区域作为候选打孔区域;针对每个候选区域,当区域无通孔时基于电压降差值计算最大通孔数量,当区域已有通孔时则基于电迁移值计算最大通孔数量;根据计算结果执行通孔添加操作,生成优化后的版图数据。本申请通过电压降与电迁移的协同分析动态确定通孔数量,在提升电源完整性的同时,能够降低寄生参数影响、保证工艺可靠性和预防天线效应,实现了电源网络的综合优化。
天眼查资料显示,新存科技(武汉)有限责任公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析,新存科技(武汉)有限责任公司共对外投资了9家企业,参与招投标项目5次,专利信息189条。
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来源:市场资讯