长电科技申请空腔芯片封装结构专利,显著提高散热效率
创始人
2026-01-17 16:10:28
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国家知识产权局信息显示,长电科技管理有限公司申请一项名为“一种空腔芯片的封装结构及其制备方法”的专利,公开号CN121335597A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体封装技术领域,尤其是涉及一种空腔芯片的封装结构及其制备方法。空腔芯片的封装结构利用缓冲部吸收和分散散热框架本体的压力,减轻散热框架本体对基板的压力冲击,从而保护封装结构免受机械应力的损害;并且,散热框架本体与缓冲部紧密配合,散热框架本体、缓冲部和基板第一表面之间形成密封空腔,效防止污染物进入空腔,提高封装结构的可靠性和稳定性。同时,将散热框架本体的顶部的外表面外露,散热框架本体直接与外部环境接触,热量可以直接散发到周围环境中,降低封装结构内部的温度,不需要通过额外的散热路径,显著提高散热效率,减少热阻,从而实现高效的热传导和散热。

天眼查资料显示,长电科技管理有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本550000万人民币。通过天眼查大数据分析,长电科技管理有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目175次,专利信息144条,此外企业还拥有行政许可41个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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