国家知识产权局信息显示,惠州市广大碳基半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOSFET的可靠性测试方法及测试系统”的专利,公开号CN121348024A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明公开了一种碳化硅MOSFET的可靠性测试方法及测试系统,该碳化硅MOSFET的可靠性测试方法包括如下步骤:准备,待测器件连接系统;初测,测量初始电气参数;循环测试,依次进行升温步骤、测试步骤和降温步骤;升温步骤为,在环境温度和待测器件自发热的共同作用下,使得待测器件结温升至目标结温并保持稳定;测试步骤为,实时监测高温电气参数;降温步骤为,测量中间电气参数;测算,测算待测器件在实际结温下的预估寿命。本发明的碳化硅MOSFET的可靠性测试方法,能够检测碳化硅MOSFET高温导通状态的可靠性。
天眼查资料显示,惠州市广大碳基半导体有限公司,成立于2022年,位于惠州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,惠州市广大碳基半导体有限公司参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息7条,此外企业还拥有行政许可6个。
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来源:市场资讯