南亚科技申请半导体元件及其制造方法专利，降低了整个半导体元件的阻值
创始人
2025-05-24 11:37:42
0次
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN120035131A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，半导体元件包含着陆垫、第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层、第三氮化物层、电极层以及填充材料。着陆垫、第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层以及第三氮化物层依序地形成。沟槽贯穿第三氮化物层、第二氧化物层、第二氮化物层、第一氧化物层以及第一氮化物层。电极层设置于沟槽的内侧壁、第三氮化物层的顶面以及着陆垫的顶面以及侧壁上。填充材料填充于沟槽中并通过电极层接触着陆垫。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
格威半导体申请电池电压检测及故...
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，格威半导体（厦门）有限公司申请一项名为“电池...
国电南自申请低压开关电寿命试验...
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，南京国电南自电网自动化有限公司申请一项名为“...
插手俄乌冲突是战略失误？俄媒研...
“美国因乌克兰问题而错过与中国开战的时机”——这是俄媒《观点报》23日对俄乌局势发出的感慨。 简而言...
瑞景信息申请电子设备拍照测试相...
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，重庆瑞景信息科技有限公司申请一项名为“电子设...
原创 美...
近期，据环球网报道，美国总统特朗普与俄罗斯总统普京、乌克兰总统泽连斯基分别通电话，就俄乌停火谈判等问...
韩媒：李在明含泪祭拜卢武铉，誓...
本文转自【环球时报新媒体】； 据韩联社报道，5月23日，在韩国庆尚南道金海市峰下村，总统候选人李在明...
镓仁半导体申请氧化镓外延生长方...
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种氧化...
上海积塔半导体申请半导体结构及...
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结...
每周股票复盘：国科微（3006...
截至2025年5月21日收盘，国科微（300672）报收于81.06元，较上周的69.6元上涨16....
东莞新科申请 PCB 板上的通...
金融界 2025 年 5 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，东莞新科技术研究开发有限公司申请一...