汉磊科技取得半导体组件专利，抑制短沟道效应与降低热载流子问题
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2026-01-20 10:10:32
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国家知识产权局信息显示，汉磊科技股份有限公司取得一项名为“半导体组件”的专利，授权公告号CN223816360U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种半导体组件，所述半导体组件包含碳化硅磊晶基材、多个阱区、接面场效区、多个源极、多个轻掺杂区、多个重掺杂区、栅极，及漏极电极。特别的是，所述轻掺杂区对应该所述源极设置，每一个该轻掺杂区具有自该碳化硅磊晶基材的顶面向下并位于相应的该源极的侧边的第一轻掺杂层，及位于该第一轻杂层下方，并自该源极的侧边的下半部延伸至该源极的底部的第二轻掺杂层，且该第二轻掺杂层于对应该源极的侧边的宽度大于该第一轻掺杂层，该接面场效区自该碳化硅磊晶基材表面向下形成，位于相邻的所述阱区之间且不与所述阱区相接触。利用所述半导体组件的结构设计可抑制短沟道效应与降低热载流子问题。
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来源：市场资讯
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