新微半导体申请高电子迁移率晶体管专利,可以降低栅漏电容
创始人
2026-01-20 20:37:39
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国家知识产权局信息显示,上海新微半导体有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管及其制备方法”的专利,公开号CN121357938A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法,利用石墨烯场板采代替传统的金属场板,石墨烯材料相对于金属材料,其载流子迁移率更高,其电阻尤其在高频状态下远低于金属材料,可以降低器件的电阻损耗,金属场板因表面粗糙度和应力的关系,对于场板下方的介质层厚度有一定要求,而石墨烯为二维材料,与介质可以紧密接触不存在缺陷,因此场板下方的介质层厚度可以做到更薄,从而降低栅漏电容,另外,石墨烯为二维材料,可以避免场板侧壁引入边缘电场,从而可以减少栅漏电容的寄生分量。

天眼查资料显示,上海新微半导体有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析,上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息130条,此外企业还拥有行政许可83个。

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来源:市场资讯

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