上海新微半导体申请半导体器件制备相关专利，可精确控制点状氧化硅的位置和密度
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2025-05-24 12:33:49
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN120033065A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供衬底，并对所述衬底的特定区域进行粗糙化处理，所述特定区域的位置与点状氧化硅的目标形成位置相对应；以及，在所述特定区域表面存在水分的条件下，沉积氮化硅层，所述氮化硅层至少覆盖所述特定区域，以使得沉积的所述氮化硅层与所述特定区域表面的水分发生反应而生成点状氧化硅。采用本发明提供的所述制备方法，可精确控制点状氧化硅的位置和密度，适用于需要特定表面结构或图案的应用。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目814次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可75个。
来源：金融界
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