国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121368124A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干闪存单元，所述闪存单元包括依次堆叠于所述半导体衬底表面的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述控制栅层与所述栅间介质层的厚度之比为(5‑15)：1，所述闪存单元侧壁形成有侧墙层；第一掺杂区，位于所述闪存单元两侧的半导体衬底中；第二掺杂区，位于所述侧墙层两侧的半导体衬底中；层间介质层，位于所述半导体衬底上覆盖所述半导体衬底、所述闪存单元和所述侧墙层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以在不影响源漏区掺杂工艺的情况下降低栅间深宽比，降低层间介质层填充难度，减少漏极之间短路的风险。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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