中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，在增加ESD结构的鲁棒性的同时，具有双向ESD保护特性
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120035224A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括绝缘层和位于绝缘层上的衬底层，衬底层包括有源区；位于部分有源区上的栅极结构，栅极结构包括位于第一区上的若干主栅极和位于第二区上的第一辅栅极，若干主栅极与第一辅栅极相接，若干主栅极平行于第一方向，且沿第二方向排布，第一辅栅极平行于第二方向，第一方向和第二方向相互垂直；分别位于各主栅极两侧的第一区内的源区和漏区，各漏区位于相邻源区之间，源区和漏区具有第一导电类型；位于第二区内的第一体区，第一体区和主栅极分别位于第一辅栅极两侧，第一体区具有第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型不同，在增加ESD结构的鲁棒性的同时，具有双向ESD保护特性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界