中芯国际申请套刻对准标记和套刻误差测量方法专利，有利于节省套刻对准标记的面积_电子应用

中芯国际申请套刻对准标记和套刻误差测量方法专利，有利于节省套刻对准标记的面积

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2026-01-25 14:38:38

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“套刻对准标记和套刻误差的测量方法”的专利，公开号CN121348660A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种套刻对准标记和套刻误差的测量方法，套刻对准标记包括：前层标记，在平行于前层标记表面的方向上，前层标记具有第一几何中心；当层标记，位于前层标记的上方，在平行于当层标记表面的方向上，当层标记具有第二几何中心，且在同一投影面上，当层标记的投影图形位于前层标记的投影图形内部。本发明实施例能够通过获取第一几何中心的第一坐标，以及获取第二几何中心的第二坐标，确定第一坐标和第二坐标之间偏移矢量，用于表征套刻误差，从而能够同时获得包括横向套刻误差和纵向套刻误差的误差数值，与需要分别设置横向和纵向的套刻对准标记的方案相比，有利于节省套刻对准标记的面积，进而提高了套刻对准标记的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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