北方集成电路申请堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法专利，堆叠电容具有沿第二方向排布的第一连接区、导电层叠区及第二连接区
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2026-01-27 19:54:59
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司;清华大学申请一项名为“堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法”的专利，公开号CN121398031A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法。堆叠电容包括基层介电层以及位于基层介电层一侧的电容主体，电容主体包括导电层及间隔介电层。在第一方向上，多层导电层包括依序交替的第一子导电层和第二子导电层。堆叠电容具有沿第二方向排布的第一连接区、导电层叠区及第二连接区。第一子导电层的第一平直部位于第一连接区内，第一子导电层的第二平直部位于导电层叠区内。第二子导电层的第一平直部位于第二连接区内，第二子导电层的第二平直部位于导电层叠区内。各导电层的第二平直部远离第一平直部的一端包括过渡段，自第一平直部指向第二平直部的方向，过渡段远离基层介电层的表面与基层介电层之间的距离逐渐减小。
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