武汉新芯申请硅光芯片结构及其制备方法专利，有效降低了硅光芯片结构的制备成本
创始人
2026-01-28 17:41:35
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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“硅光芯片结构及其制备方法、光子芯片及光计算设备”的专利，公开号CN121398459A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种硅光芯片结构及其制备方法、光子芯片及光计算设备。该硅光芯片结构的制备方法，包括：提供半导体晶圆；所述半导体晶圆具有相背的第一表面和第二表面；对所述半导体晶圆的第一表面进行处理，以形成半导体器件层；从所述半导体晶圆的第二表面对所述半导体晶圆进行减薄；将减薄后的所述半导体晶圆的第二表面朝向支撑板，并与所述支撑板键合；对半导体晶圆和支撑板进行切割，以形成硅光芯片结构。该方法有效降低了硅光芯片结构的制备成本。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1813条，此外企业还拥有行政许可106个。
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来源：市场资讯
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