闽都创新实验室申请高电子迁移率晶体管外延层及钝化层制备方法专利，可改善高电子迁移率晶体管的动态导通电阻
创始人
2026-01-30 19:41:15
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国家知识产权局信息显示，闽都创新实验室;世创微（福建）电子有限公司申请一项名为“一种高电子迁移率晶体管的外延层及钝化层制备方法”的专利，公开号CN121419274A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高电子迁移率晶体管的外延层及钝化层制备方法。该制备方法包括：准备衬底；在所述衬底的一侧制备外延层；对所述外延层远离所述衬底的一侧表面进行氢气退火处理；在所述外延层远离所述衬底的一侧制备钝化层。本发明通过设置在对外延层的表面进行氢气退火处理后再制备钝化层，可显著改善钝化层的表面形貌，降低粗糙度，进而可改善高电子迁移率晶体管的动态导通电阻。
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来源：市场资讯
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