长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，该半导体结构的性能良好
创始人
2026-01-31 15:15:09
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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、半导体器件”的专利，公开号CN121419221A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。该半导体结构包括衬底，衬底包括存储区、外围区以及位于存储区和外围区之间的过渡区，过渡区中有第一隔离结构。第一沟槽，位于隔离结构中，第一沟槽沿第一方向延伸；第一沟槽的深度小于隔离结构的深度。该半导体结构的性能良好。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息643条，此外企业还拥有行政许可34个。
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来源：市场资讯
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