长鑫科技申请半导体结构及制备方法专利，第一保护层能够抵抗湿法刻蚀溶液避免损坏衬底_电子应用

长鑫科技申请半导体结构及制备方法专利，第一保护层能够抵抗湿法刻蚀溶液避免损坏衬底

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2026-01-31 23:38:16

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121442690A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底沿第一方向堆叠形成堆叠结构，堆叠结构包括有源层；在有源层沿第二方向的至少一侧形成开口，开口贯穿堆叠结构，并暴露衬底；在开口内填充金属材料，并使金属材料与暴露的衬底形成第一保护层；去除金属材料；其中，第一方向与衬底上表面相交，并和第二方向垂直。在金属材料填充开口时，金属材料能够吸附于暴露的衬底上表面，并与衬底反应自对准形成第一保护层，省略沉积、刻蚀工艺步骤，节省工艺成本，且第一保护层为金属硅化物，第一保护层能够抵抗湿法刻蚀溶液，避免湿法刻蚀溶液损坏衬底，起到保护衬底的作用。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息204条，专利信息645条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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