晶合集成申请漏电监测结构及方法专利，准确监控MOS管的衬底到漏极的漏电流
创始人
2026-02-01 00:09:15
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“漏电监测结构及方法”的专利，公开号CN121443038A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种漏电监测结构及方法，属于半导体技术领域，包括第一监测结构和第二监测结构，第一监测结构包括第一阱区、第一隔离结构及第一有源区，第一有源区的周长与MOS管的有源区的周长相等或与MOS管的有源区内的源区和漏区的周长之和相等；第二监测结构的第一栅极结构的栅极侧墙的周长与MOS管的栅极结构的栅极侧墙的周长相等。该漏电监测方法根据第一监测结构的漏电流和第二监测结构的漏电流以及MOS管的尺寸信息可以获取MOS管的漏电流。本申请中的漏电监测结构能够最大程度的模拟MOS管所在的环境，避免漏电监测结构与MOS管所在环境不同导致漏电产生差异，准确监控MOS管的衬底到漏极的漏电流。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1603条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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