IT之家 2 月 2 日消息，二维半导体是延续集成电路摩尔定律、实现先进制程的关键材料，也是我国开辟新赛道的重要机遇。南京大学-苏州实验室王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作，开发了全新的氧辅助金属有机化学气相沉积（oxy-MOCVD）技术，解决了二维半导体量产化制备的动力学瓶颈。

据介绍，相关成果以“氧辅助金属有机化学气相沉积加速二硫化钼动力学生长”（Kinetic acceleration of MoS2 growth by oxy-metal-organic chemical vapor deposition）为题于 2026 年 1 月 30 日发表在《科学》。这是该团队继 2025 年 10 月在 Science 发表成果后取得的又一重大突破，标志着二维半导体产业化技术迈入全新阶段。

IT之家查询获悉，二维半导体的产业化制备长期以来面临两大挑战。一是需要大尺寸、低对称性的衬底作为外延模板，保证薄膜的定向生长；二是二维材料的原子级厚度使其对生长动力学极其敏感。

针对这些难题，团队在制备二维半导体的过程中引入氧气，创新设计材料生长的预反应腔结构，在高温下使氧气与前驱体充分预反应，这降低了反应过程的能量障碍，使前驱物反应速率提升约 1000 倍以上。

另外，该成果与团队 2025 年发表的“点石成晶”技术共同构建了“衬底工程 + 动力学调控”完整技术路线，为二维半导体量产化提供核心支撑，将加速其在埃米级集成电路等领域的应用进程，为我国在下一代半导体技术竞争中构筑核心优势。

论文第一作者为苏州实验室博士后刘蕾、王玉树、董瑞康与南京大学集成电路学院博士后范东旭。研究得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、基础学科和交叉学科突破计划、国家资助博士后研究人员计划和中国博士后科学基金、江苏省基础研究计划、江苏省卓越博士后计划、姑苏创新创业领军人才等项目的资助，以及未来智能芯片交叉研究中心（雅辰基金）、新基石科学基金会所设立的科学探索奖、小米基金的支持。

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