深圳辰达半导体申请具有折回式触发机制的ESD保护器件专利，使器件兼具低触发电压、适中的保持电压、优异的大电流放电能力以及良好的静态可靠性_电子应用

深圳辰达半导体申请具有折回式触发机制的ESD保护器件专利，使器件兼具低触发电压、适中的保持电压、优异的大电流放电能力以及良好的静态可靠性

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2026-02-03 21:15:49

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国家知识产权局信息显示，深圳辰达半导体有限公司申请一项名为“具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法”的专利，公开号CN121442776A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法，所述方法包括一P型衬底；形成于所述衬底内的N型阱层和P型阱层；形成于所述N型阱层表面的至少一个P型掺杂层；形成于所述P型阱层表面的至少一个N型掺杂层；设置在N型阱层和P型阱层之间的第三沟槽，设置在第三沟槽上的悬浮式电场调制结构。本发明通过引入悬浮式电场调制结构，在不增加器件漏电和不改变主放电路径的前提下，实现了对SCR触发过程的动态电场调控，使器件兼具低触发电压、适中的保持电压、优异的大电流放电能力以及良好的静态可靠性。

天眼查资料显示，深圳辰达半导体有限公司，成立于2010年，位于深圳市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本526.3158万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳辰达半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可10个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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