旭矽半导体申请超结MOSFET器件制备方法专利，解决现有工艺难度高成本高缺点
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2026-02-05 00:11:13
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国家知识产权局信息显示，旭矽半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种超结MOSFET器件的制备方法及超结MOSFET器件”的专利，公开号CN121463496A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种超结MOSFET器件的制备方法及超结MOSFET器件，方法包括：获取两片具有零层MASK对位标记且长度相同的N型外延片；在两片N型外延片上分别对应形成多个间隔排列的深沟槽，并在两片N型外延片的深沟槽内进行P型外延填充，分别在两片N型外延片的深沟槽内形成多个间隔排列的P型外延结构；基于零层MASK对位标记，将两个N型外延片的预设表面贴合并键合在一起，形成晶圆键合结构；将晶圆键合结构其中一表面减薄至暴露P型外延结构，形成晶圆减薄结构。本发明的制备方法不需要多层外延复杂工艺引入就可以完成交替排列的PN型结构，从而可以解决现有工艺方法存在的工艺难度高、制作成本高、晶圆产出周期长等缺点。
天眼查资料显示，旭矽半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，旭矽半导体（上海）有限公司专利信息22条，此外企业还拥有行政许可2个。
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