燕东微电子申请高压MOS器件和集成电路专利，提高器件击穿电压
创始人
2026-02-05 13:43:56
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国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“高压MOS器件和集成电路”的专利，公开号CN121463501A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种高压MOS器件和集成电路，通过对高压MOS器件结构进行优化，在外延层中增加场板结构，可以提高器件击穿电压，降低器件表面提前发生击穿的可能性，还可以保证芯片或者集成电路的面积不会增大，甚至有利于减小芯片或者集成电路的面积，而且不会影响器件的其它性能，再者，结合位于半导体基板表面的场板，能够从不同方向进一步分散电场线，从而实现优化电场分布，保证电场线分布均匀性，进一步提高器件击穿电压的目的。
天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1093次，专利信息176条，此外企业还拥有行政许可113个。
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来源：市场资讯
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