华光光电申请单模638nm半导体激光器件专利，降低阈值电流
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2026-02-11 13:13:05
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国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种单模638nm半导体激光器件及其制备方法”的专利，公开号CN121484652A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种单模638nm半导体激光器件及其制备方法。该半导体激光器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一N限制层、第一光波导层、第二N限制层、第二光波导层、第三N限制层、下波导层、GaInP第一量子阱、AlGaInP第一垒层、GaInP第二量子阱、AlGaInP第二垒层、GaInP第三量子阱、上波导层、P限制层、GaInP过渡层、GaAs帽层。本发明的半导体激光器件能够抑制光场向N侧偏移程度，提高光场对称度，降低阈值电流；降低电阻，从而提高光电转换效率并减少废热导致的有源区温度升高；同时增强P侧限制层载流子限制能力。
天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目566次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息790条，此外企业还拥有行政许可15个。
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来源：市场资讯
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