昱芯微电子取得适合MOSFET CSP封装的漏极引出端结构专利，减少芯片本体的尺寸面积
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2026-02-14 15:42:18
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国家知识产权局信息显示，杭州昱芯微电子有限公司取得一项名为“一种适合MOSFET CSP封装的漏极引出端结构”的专利，授权公告号CN223912869U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体芯片技术领域，具体为一种适合MOSFET CSP封装的漏极引出端结构，包括芯片本体，芯片本体至少包括在竖直方向从下至上连续设置的金属层、外延层、钝化层，且其在水平面投影上划分而成的位于中心位置的MOSFET本体区域和以及环绕MOSFET本体区域设置的漏极外接区域，其特征在于：金属层与MOSFET本体区域上的漏极引出端电连接，漏极外接区域位置的外延层上开设有两个上下贯穿并环形设置的分隔槽，两分隔槽之间的外延层上下贯穿设置有均匀分布的若干贯穿孔；本实用新型先通过金属层与MOSFET本体区域上的漏极引出端电连接，再通过多晶以及金属条将其外接引脚的位置设置在芯片本体正面位置，方便外接电路，同时也减少芯片本体的尺寸面积。
天眼查资料显示，杭州昱芯微电子有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州昱芯微电子有限公司共对外投资了1家企业，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可3个。
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