杭州富芯半导体申请半导体结构氧化层掺杂方法专利，提升制备良率
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2026-03-04 09:44:26
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国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构的氧化层掺杂方法”的专利，公开号CN121604738A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的氧化层掺杂方法，包括提供半导体基体，所述半导体基体包括衬底和位于衬底上的功能氧化层；形成层叠于所述功能氧化层上的牺牲层；自所述牺牲层背离所述功能氧化层的一侧对所述功能氧化层进行离子注入，以在所述功能氧化层中掺杂氮元素，形成掺杂氧化结构；去除所述牺牲层。本申请的掺杂方法简单高效，对工艺条件及设备的要求较低，规避了传统DPN工艺对工艺条件以及特殊设备的高要求，提升了制备良率，采用现有的离子注入设备实现薄氮掺杂，降低制备成本；并且，通过离子注入从根本上规避了DPN工艺氮析出的问题，提升整个半导体制程的精准性和可控性，有利于提升掺杂氧化结构以及半导体结构的制备良率。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息366条，此外企业还拥有行政许可27个。
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来源：市场资讯
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