铠侠申请半导体装置及其制造方法专利，能够降低存储器孔宽度的偏差
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2026-03-05 11:43:02
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121604416A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，实施方式提供一种能够降低存储器孔宽度的偏差的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基板、层叠膜和柱状部。层叠膜设置在基板的上方，具有在与基板的上表面相交的第一方向上交替层叠的多个绝缘层和多个电极层。柱状部沿第一方向贯通层叠膜。多个绝缘层中的下端侧的至少一个第一绝缘层相比于多个绝缘层中第一绝缘层以外的第二绝缘层而言，V族元素的浓度更高。
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来源：市场资讯
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