鹏芯微申请半导体器件及其制备方法专利，可以显著降低栅极电阻
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2026-03-06 16:23:33
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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121619885A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：去除伪栅，以在间隔设置的侧墙之间形成沟槽，所述沟槽露出鳍和所述鳍两侧的浅槽隔离；在所述沟槽中形成高K/功函数层，其中，所述高K/功函数层有多层，在形成每层所述高K/功函数层之前，均在所述沟槽内的所述侧墙上形成自组装单分子层，在形成每层所述高K/功函数层之后，均去除所述侧墙上的自组装单分子层；在所述沟槽中形成金属栅极。根据本申请的半导体器件及其制备方法，可以显著降低栅极电阻。
天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息110条，此外企业还拥有行政许可215个。
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来源：市场资讯
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