大家都知道,目前大规模的芯片制造,均是基于光刻技术,即先制造一张掩膜版,然后光线照射掩膜版,进行图案复制,将掩膜版上的芯片电图路,转移至硅晶圆上去。
可见,在光刻技术中,掩膜版是母版,是芯片制造的“高精度底片”。
那么问题就来了,掩膜版又是怎么制造的,用什么设备?其实目前主要用的是“电子束光刻机”。

电子束光刻机,是直接用高速电子束轰击光刻胶,然后直接就能够在晶圆表面“雕刻”电路图案,制造出光掩膜版。
从这里大家也可以看出,就算你有EUV光刻机,如果没有电子束光刻机,制造不出掩膜版,那么相当于没有芯片母版,也无法制造出芯片来。
所以电子束光刻机,还是相当重要的,之前国内一直从日本进口,日本的JEOL与NuFlare,向中国提供的电子束光刻机,分别对应着40nm及以下和7nm及以下的工艺节点。

但这样依赖日本的设备,肯定不是办法,所以一直以来,国内也在努力的研发自己的电子束光刻机。
而在2025年,一是中国电子集团第48研究所,制造出了可变束技术的电子束光刻机,虽然分辨率为50nm,但在成熟的芯片工艺上,我们可以实现国产替代了。
另外,浙大余杭量子研究院,更是研发出了先进的电子束光刻机-“羲之”,这台光刻机精度达到0.6nm,线宽8nm,对应的是先进芯片工艺。

并且这两台设备,可不是实验室设备,不是PPT,而是已经量产,并且发货至客户应用于实际生产的设备。
所以很明显,目前国产电子束光刻机门槛已经被突破了,接下来,我们会有更多的,技术更先进的电子束光刻机推出来。
当然,正如前面所言,电子束光刻机因为速度慢,且容易受干扰,对环境要求高,确实不适合大规模的芯片制造,主要用于掩膜版的制造,替代不了光刻机,但它也是芯片制造领域中必不可少的设备,如今我们有了突破,想必整个芯片产业的格局,可能也会被改变。