龙腾半导体申请助力碳中和的SiC功率器件终端结构专利，提高了器件击穿电压
创始人
2026-03-07 16:01:06
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国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种助力碳中和的SiC功率器件终端结构及其制备方法”的专利，公开号CN121619911A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种助力碳中和的SiC功率器件终端结构及其制备方法，终端结构包括：N型衬底、N型外延层、第一P型区域、若干第二P型区域和至少一个P型TOP区，其中，N型外延层位于N型衬底上；第一P型区域、若干第二P型区域和至少一个P型TOP区均从N型外延层的表面延伸至内部；第一P型区域位于过渡区；若干第二P型区域间隔分布在终端区；至少一个P型TOP区位于终端区，且掺杂浓度小于第二P型区域的掺杂浓度；当P型TOP区的数量为1个时，P型TOP区位于第一P型区域和第二P型区域之间，且与第一P型区域、第二P型区域相接触。该器件优化了终端电场强度，提高了器件击穿电压，稳固了不同界面电荷影响下的击穿电压。
天眼查资料显示，龙腾半导体股份有限公司，成立于2009年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本16126.1111万人民币。通过天眼查大数据分析，龙腾半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息168条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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