南亚科技申请包含漏电防止层的半导体装置专利，提供一种包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法
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2026-03-10 21:34:39
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121645853A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，提供一种包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法。半导体装置包含一基底、一位元线和一字元线。该基底包含一主动区。该字元线嵌入该基底内且沿着一第一方向延伸。该位元线设置于该基底上且沿着与该第一方向不同的一第二方向延伸。该主动区包含具有一第一掺质浓度的一第一半导体层和具有一第二掺质浓度的一第二半导体层，该第二掺质浓度小于该第一掺质浓度。
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