意法半导体申请用于非易失性存储器的编程专利，生成自适应置位脉冲电流
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2026-03-11 19:36:26
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于非易失性存储器的编程”的专利，公开号CN121641115A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及用于非易失性存储器的编程。根据实施例，公开了一种用于为相变存储器(PCM)单元生成自适应置位脉冲电流的电路。该电路包括：第一电流数模转换器(IDAC)和第二IDAC，每个IDAC被配置为生成具有可编程曲线的偏置电流，该可编程曲线包括：在预定义置位电流处的恒定电流阶段；从预定义置位电流到最小截止电流的第一斜坡下降阶段；从最小截止电流到零的第二斜坡下降阶段；以及零电流阶段，其中每个IDAC的恒定电流阶段响应于另一个IDAC开始第二斜坡下降阶段而开始；以及编程电路，该编程电路被配置为选择来自第一IDAC和第二IDAC的偏置电流之一并生成自适应置位脉冲电流。
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