国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121665565A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括第一区；形成位于第一区上的浮栅结构、位于浮栅结构上的控制栅结构以及位于控制栅结构与浮栅结构之间的控制栅介质结构；在衬底上形成掩膜层，具有第一开口，暴露出第一区的部分控制栅结构；去除第一开口暴露出的控制栅结构，直至暴露出控制栅介质结构，在控制栅结构内形成第二开口；在衬底上、第二开口内形成介电结构；在第一区形成第一插塞，位于第二开口内的介电结构内以及第二开口底部的控制栅介质结构内，第一插塞与浮栅结构电连接；在第一区上形成第二插塞，位于控制栅结构上的介电结构内，第二插塞与控制栅结构电连接。所述结构能够对控制栅介质结构的电容精确量测。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目50次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

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来源：市场资讯