重庆万国半导体申请降低导通电阻的SGT-MOSFET制造方法专利，使整体导通电阻降低_电子应用

重庆万国半导体申请降低导通电阻的SGT-MOSFET制造方法专利，使整体导通电阻降低

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2026-03-14 16:28:27

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国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“降低导通电阻的SGT-MOSFET的制造方法”的专利，公开号CN121665606A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种降低导通电阻的SGT‑MOSFET的制造方法，包括：取一具有外延层的硅衬底；在所述外延层上刻蚀形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的槽壁上形成栅氧化层，并在所述栅极沟槽中从下至上依次形成底部多晶硅、第一隔离氧化层、中部多晶硅、第二隔离氧化层和顶部多晶硅；通过离子注入依次形成体区与源区；制作形成SGT‑MOSFET器件。本发明中，通过在器件的栅极沟槽中增加第一隔离氧化层，将栅极沟槽底部的多晶硅分隔为底部多晶硅和中部多晶硅两部分，当器件导通时，在外延层的中部多晶硅处可以感生形成一段积累区，使整体导通电阻降低；当器件关断时正常实现反向耐压的作用。

天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造栅极多晶硅氧化投资降低器件电阻重庆专利氧化层沟槽

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