浙江创芯申请半导体结构的形成方法及中间结构体专利，提高半导体结构的质量
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2026-03-18 04:10:35
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国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及中间结构体”的专利，公开号CN121665564A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的形成方法及中间结构体，所述方法包括：形成基底，基底上具有相互间隔且凸起的控制栅结构；在基底上形成保形覆盖的初始浮栅层；在初始浮栅层的表面旋涂初始抗反射层和初始硬掩模层；沿控制栅结构的延伸方向，间隔刻蚀初始硬掩模层和初始抗反射层，以使得到的网格状的中间抗反射层和条状的硬掩模层，中间抗反射层保留位于相邻的控制栅结构之间的初始抗反射层的一部分；去除未覆盖中间抗反射层的初始浮栅层，以得到网格状的中间浮栅层；去除位于相邻的控制栅结构之间的中间抗反射层；去除剩余未覆盖抗反射层的中间浮栅层，得到浮栅层。采用上述方案，能够提高半导体结构的质量。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目275次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息585条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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