宏微科技申请IGBT器件及其制备方法专利，集电极电流的变化率得到更好的控制_电子应用

宏微科技申请IGBT器件及其制备方法专利，集电极电流的变化率得到更好的控制

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2026-03-18 04:23:42

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国家知识产权局信息显示，江苏宏微科技股份有限公司申请一项名为“IGBT器件及其制备方法”的专利，公开号CN121692683A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种IGBT器件及其制备方法。本发明的IGBT器件的栅极沟槽的下部的外周设置有浮置N型区；所述浮置N型区的两侧的上端分别连接P型体区和浮置P区；以及所述浮置N型区的外周设置有浮置P型区。本发明的IGBT器件通过引入高掺杂的浮置N型区作为寄生MOSFET的体区，其高掺杂浓度直接导致了阈值电压的升高。关断状态下浮置P区能够稳定在更高的初始电位。浮置P型区可以将浮置N型区包围，防止浮置N型区浓度过高引起的耐压下降。在IGBT开启瞬间，由于浮置P区的初始电位更高，其在开启过程中可容纳的空穴数量相对减少，从而抑制了因空穴快速积累造成的浮置P区电位剧烈升高。这有效减小了由此产生的、不受栅极电阻限制的位移电流对栅极的充电，使得集电极电流的变化率得到更好的控制，同时不牺牲器件的导通压降特性和耐压特性。

天眼查资料显示，江苏宏微科技股份有限公司，成立于2006年，位于常州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本21288.4185万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏宏微科技股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目52次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息286条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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