国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司取得一项名为“存储器的电容结构与其制作方法”的专利,授权公告号CN114464619B,申请日期为2020年11月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯
上一篇:国电南瑞获得发明专利授权:“一种嵌入式全连接实时通信的系统架构、方法及设备”
下一篇:航天科工惯性技术取得电阻精密检测的同源双路同步采样技术专利