真芯半导体取得金属氧化物半导体场效应管专利
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2026-03-21 05:53:05
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国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备”的专利，授权公告号CN114388617B，申请日期为2020年10月。

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