新存科技申请相变存储器及其操作方法专利，提高存储单元阵列的可靠性_电子应用

新存科技申请相变存储器及其操作方法专利，提高存储单元阵列的可靠性

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2026-03-23 19:44:31

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器及其操作方法”的专利，公开号CN121708989A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种相变存储器及其操作方法。该相变存储器包括：存储单元阵列和与存储单元阵列耦接的外围电路；存储单元阵列包括第一区域和第二区域；第二区域位于第一区域的远离第一区域中部的至少一侧；外围电路被配置为：响应于第一区域相应的误码率超过ECC的第一门限阈值，对第一区域的相变存储单元执行第一刷新操作；响应于第二区域相应的误码率超过ECC的第二门限阈值，对第二区域的相变存储单元执行第二刷新操作；其中，第一门限阈值小于第二门限阈值。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息205条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示阵列投资阈值存储器误码率武汉专利区域的可靠性单元新存科技门限

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