长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体器件性能_电子应用

长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体器件性能

创始人

2026-03-23 20:21:25

0次

国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、半导体器件”的专利，公开号CN121711989A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件，该半导体结构包括：沿第一方向依次排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区；其中，第一掺杂区与第四掺杂区的掺杂类型相同，第二掺杂区的掺杂类型与第三掺杂区的掺杂类型相同，第一掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区的掺杂类型不同，第二掺杂区的掺杂浓度大于第三掺杂区的掺杂浓度；栅介质层，栅介质层包括沿第一方向排布的第一部分和第二部分，第一部分覆盖第二掺杂区的至少一个侧壁，第二部分覆盖第三掺杂区的至少一个侧壁的部分区域；栅极，覆盖第一部分。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息627条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资介质导体查大结构专利类型掺杂区杂区半导体栅介长鑫科技

上一篇：国泰基金的半导体设备ETF国泰（159516）跌4.6%

下一篇：安徽迎光伏稳压利器：卓尔凡并网稳压器，超低纹波稳定供电

长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体器件性能

相关内容

热门资讯